Вертикальный метод управления
При  вертикальном методе управления формирование управляющего импульса производится в результате сравнения на нелинейном элементе величины переменного (синусоидального,  пилообразного, треугольного) и постоянного напряжений. В момент, когда эти напряжения становятся равными, происходит формирование управляющего импульса управления тиристором В. Фазу импульса можно изменять, регулируяуровень постоянного напряжения U.
На рис.2, а  приведена схема простейшего устройства, формирующего импульсы по вертикальному методу управления на управляющем электроде тиристора В.

а)

б)
Рис. 2.   Реализация принципа вертикального управления (а) и временные диаграммы формируемых напряжений (б).

Входное напряжение U транзистора VТ в любой момент времени t  определяется алгебраической суммой постоянного  и переменного U напряжений. Когда напряжение Uт изменяется по амплитуде от нулевого значения (точка 1) до значения  (точка 2, рис. 2,б), на базе транзистора VТ присутствует отрицательный потенциал итранзистор открыт. Напряжение источника питания (-U) почти полностью приложено к нагрузке Rн.
В период времени, когда мгновенные значения  напряжений (U) = (), что соответствует точкам 2-3, к участку эмиттер-база транзистора VТ прикладывается разностное положительное напряжение  синусоиды и транзистор VT закрывается (до точки 3).
В момент запирания транзистора VТ напряжение (- Uк) прикладывается к RС-цепочке, составленной из резисторов Rн, R и конденсатора С2.
На резисторе R при заряде конденсатора С2 формируется (при дифференцировании) отрицательный импульс  напряжения (точка а).  На  участке 2-3 транзистор VТ закрыт иктранзистору приложено напряжение ( - U ). В т. 3, когда (U) становится несколько меньше (- ) транзистор VТ открывается, разряжая конденсатор С2 на резистор R. Импульсы, формируемые данным устройством, подаются затем на усилитель мощности УМ системы управления. Фаза этих импульсов изменяется при изменении величины постоянного напряжения  . По такому принципу построены одноканальные СИФУ.