Приложение 1
ДАТЧИКИ ДЛЯ СИСТЕМ АВТОМАТИЧЕСКОГО
РЕГУЛИРОВАНИЯ
|
№ п/п |
Наименование датчика и тип |
Графическое изображение датчика |
Свойства датчика |
||||
|
Входной параметр |
Выходной параметр |
Статическая
характеристика |
Чувствитель-ность датчика |
||||
|
Аналитическая зависимость |
Графическое изображение |
||||||
|
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
|
|
|
Параметрические датчики |
|
||||||||
|
1 |
Контактные двухпредельные |
|
Линейные ℓх или угловые перемещения, αх |
Электрический сигнал (ток или напряжение) |
|
|
± 0,25 мкм |
||
|
Датчики активного сопротивления |
|
||||||||
|
2 |
Реостатный |
|
Линейные ℓх или угловые перемещения, αх |
Ток |
|
|
Переменная |
|
|
|
3 |
Угольный |
|
Механическое усилие F |
Сопротивление угольного столба Rд |
Rд = Ri + Rк
|
|
Переменная |
|
|
|
4 |
Потенциометрический, однотактный |
|
Линейные ℓх или угловые перемещения, αх |
Напряжение, Ток |
I = k·ℓх I = k·αх |
|
Постоянная |
|
|
|
Потенциометрический, двухтактный |
|
|
|
||||||
|
5 |
Тензометрический: проволочный и фольговый |
|
Деформация под действием давления, вибрации, ускорения и др. |
Сопротивление |
|
|
|
|
|
|
6 |
Терморезисторы с нагревом: а – прямым; б – косвенным |
|
Температура, физическое состояние среды |
Сопротивление |
|
|
Sд = α |
|
|
|
Полупроводниковые термисторы: а – КМТ-1; б – КМТ-4 |
|
RT = Ае В/Т |
|
|
|||||
|
Датчики реактивного сопротивления |
|
||||||||
|
7 |
Емкостные параметрический |
|
Угловые перемещения
- αх, площадь обкладок - S |
Емкость конденсатора |
|
|
|
|
|
|
Линейные перемещения x, диэлектрическая проницаемость ε |
|
|
|
|
|||||
|
|
Для плоского двухобкладочного
|
|
|
|
|||||
|
Дифференциальный емкостный датчик в мостовой схеме |
|
Линейные перемещения x, диэлектрическая проницаемость ε |
Емкость конденсатора |
|
|
|
|
||
|
8 |
Индуктивный однотактный |
|
Линейные ℓх или угловые перемещения, αх |
Индуктивное сопротивление, ток в цепи |
|
|
|
|
|
|
Индуктивный двухтактный |
|
I= kd |
|
|
|||||
|
9 |
Магнитоупругие |
|
Механические напряжения (усилие F, давление Р, крутящий момент М) |
Магнитная проницаемость материала μ и
соответственно индуктивность L и индуктивное
сопротивление XL |
E = f1(F) μ = f2(F) Rм = ℓ/(S/μ) ℓ и S- длина
и площадь сечения сердечника |
|
|
|
|
|
10 |
Фотоэлектрический с вентильным
фотоэффектом |
|
Световой поток видимого и невидимого диапазона длин
волн |
Электрическая проводимость, Внутреннее сопротивление фотоэлемента. |
Iф = kФ I = αTn Uф = kФ |
Линейная зависимость |
|
|
|
|
Генераторные датчики |
|
||||||||
|
11 |
Термоэлектрические |
|
Температура |
ТермоЭДС |
Ед =f(T0C) |
|
|
|
|
|
12 |
Трансформаторные |
|
Линейные перемещения |
ЭДС |
Ед =f(х) |
|
|
|
|
|
|
Угловые перемещения |
Ед = f(α) |
|
|
|
||||
|
|
Дифференциальные линейные перемещения |
|
|
|
|
||||
13 |
Индукционные, линейного перемещения |
|
Скорость линейных х или угловых α перемещений |
ЭДС |
|
|
|
||
|
Индукционные, уголового перемещения |
|
||||||||
|
E = kФΩ |
|
|
|||||||
|
Тахогенераторы |
|
Скорость вращения |
Е = f(n) |
|
|
|
|||
|
14 |
Датчик Холла |
|
Плотность магнитного потока В, или величина тока ί12 |
ЭДС |
|
|
|
|
|
|
15 |
Пьезоэлектрический датчик давления |
|
Усилие F |
Заряд q |
q = k0F |
|
|
|
|
|
16 |
Датчик напряжения |
|
Напряжение |
Напряжение |
|
|
|
|
|
|
17 |
Датчики тока |
|
Ток |
Напряжение |
Uвых = f(I) |
|
|
|
|
|
|||||||||
